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敷地内に建設中の６階建て設計技術棟が完成 　三菱電機パワーデバイス製作所　３月１０日開所

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　三菱電機グループで、省エネ・省電力に必要不可欠なパワー半導体を生産する三菱電機株式会社パワーデバイス製作所（福岡市西区今宿東１丁目、眞田享所長）が、総投資額２５億円をかけ、敷地内４工場跡地に建設していた６階建ての設計技術棟がこのほど完成し、３月１０日に開所した。
　これまで製作所内に点在していた営業、設計、開発部門を集約し、ＳＩＣといわれる次世代パワー半導体の開発、製品化を進める。名称は「パワーデバイスイノベーションセンター（ＰＩセンター）。建築面積は約１９００平方m。鉄骨造り４階建てで延べ床面積は約１万１０００平方m。建物の中心に吹き抜け階段を設置、各フロアにオープン打ち合わせ用のベンチシートを設けたほか、執務エリアでは部門間の壁を取り除いた仕様を採用し、社内のコミュニケーション環境の向上を目指す。また、断熱性を向上させるために複層ガラスを採用したことや、吹き抜けを活用した自然採光、自然排熱、自然換気のシステム導入、人感照度センサーのＬＥＤ照明を導入することで、建物全体で省エネ、省電力を進めている点が特徴。フロア構成は１階がエントランス、ショールーム、２階が管理部門、３階から６階までが設計、技術開発部門。最大収容人数は８５０人。
　３月６日には竣工式があり、三菱電機半導体事業部の柵山正樹執行役副社長、眞田享所長がそれぞれ記者会見し、次世代半導体の開発、生産に全力で取り組みたいと意気込みを話した。
　同製作所が生産するパワー半導体は、省電力、省エネにつながる機能を持つ製品で、民生用、産業用ともに需要があり、世界シェアはトップクラス。今回、福岡県と福岡市のグリーンアジア国際総合戦略特区の指定法人を受け、昨年３月から建設を進めていた。